Контрактная разработка элементов магниторезистивной памяти

Контрактная разработка элементов магниторезистивной памяти (MRAM), спин-вентильных структур и высокочувствительных магнитных сенсоров (AMR/GMR).

Результат: прототипирование структур (Fe, Co, Ni) методами литографии и магнетронного напыления с последующей валидацией магнитной анизотропии и транспортных свойств при температурах от 4.2 K до 300 K.

Для кого: приборостроительные R&D-центры, разработчики промышленной автоматики и робототехники.

*стоимость указана за этап НИР (прототипирование+измерения)

Спинтроника. Полный цикл спинтроники. Магниторезистивная память / MRAM. Спин-вентильные структуры. Магнитные сенсоры / AMR сенсоры / GMR сенсоры. Контрактная разработка спинтронных структур. Магнетронное напыление. Литография. Прототипирование структур. Напыление Fe, Co, Ni (Железо, Кобальт, Никель). Нанесение тонких пленок для спинтроники. Валидация магнитной анизотропии. Измерение транспортных свойств. Измерения при низких температурах / от 4.2 K до 300 K. Криогенные измерения спинтроники. Электрические измерения магнитосопротивления. Прототип MRAM. Прототип спин-вентиля. Высокочувствительные магнитные сенсоры. Готовый образец для тестирования. Приборостроительные R&D-центры. Разработчики промышленной автоматики. Разработчики робототехники. Производители датчиков. Заказать разработку MRAM. Изготовление GMR сенсоров на заказ. Спинтроника под ключ. Напыление тонкопленочных структур для спинтроники. Измерение магнитосопротивления в широком диапазоне температур. Стоимость НИР по спинтронике. Разработка AMR сенсоров для автоматики. Комбинированный подход (Напыление + Измерения). Полный цикл — от идеи до прототипа. Широкий температурный диапазон — от гелиевых до комнатных температур. Работа с базовыми ферромагнетиками (Fe, Co, Ni). Туннельный магниторезистивный эффект (TMR).Гигантское магнитосопротивление (GMR). Анизотропное магнитосопротивление (AMR). Магнитный переключатель. MRAM ячейка.