Пластины карбида кремния

Пластины карбида кремния (SiC) используются как подложки для изготовления силовых полупроводниковых приборов.

На данных пластинах выращиваются эпитаксиальные слои и формируются устройства силовой электроники: диоды, MOSFET и другие компоненты для высоких напряжений, температур и мощностей. Они широко используются в высоковольтных и сильноточных силовых электронных устройствах, таких как SBD, MOSFET и IGBT. Такие силовые устройства поддерживают модернизацию технологий энергосетей и способствуют становлению международным лидером в технологиях передачи и преобразования электроэнергии сверхвысокого напряжения (UHV), а также поддерживают высоковольтные энергетические системы, такие как электромобили, зарядные станции и высокоскоростные железные дороги.

Основные параметры

• диаметр пластины: 100 мм
• политип: 4H-SiC
• толщина: 500 мкм
• удельное сопротивление: более 1*105 Ом·см
• полировка: двухсторонняя

Научно-производственная компания «Спецтехнаука» производит поставку пластин из карбида кремния для полупроводниковых и оптических применений.

Пластины карбида кремния. SiC пластины. Подложки карбида кремния. SiC подложки. Карбид кремния (SiC). 4H-SiC / 4H-SiC подложки. Полупроводниковые пластины. Широкозонный полупроводник. Высокая теплопроводность SiC. Высокая электрическая прочность. Устойчивость к высоким температурам. Работа при высоких напряжениях. Высокая плотность мощности. Высокочастотные устройства на SiC. n-type SiC пластины. Semi-insulating SiC / Полуизолирующие подложки SiC. Легированные подложки SiC. Силовые полупроводниковые приборы. Силовая электроника на SiC. SiC диоды. SiC MOSFET. Преобразователи мощности. Силовая электроника для электромобилей (EV). Применение в энергетике. Высокочастотные устройства. Диаметр пластины 100 мм / 4 дюйма SiC пластины. Толщина пластины SiC. Плотность дефектов кристалла. Micropipes (микропоры, микротрубки). Dislocations (дислокации). Шероховатость поверхности / RMS roughness. Ориентация кристалла. Si-face (кремниевая сторона). Off-cut угол (угол разориентации). Эпитаксиальные слои на SiC. Эпитаксия карбида кремния. Формирование устройств на SiC пластинах. SiC vs кремний / Преимущества SiC перед Si. Повышение эффективности с SiC. Уменьшение размеров силовых систем. Купить пластины SiC. Подложки SiC 100 мм цена. 4H-SiC n-type пластины. SiC подложки для силовой электроники. Полуизолирующий карбид кремния купить.